品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:04+
规格型号(MPN):SI4435DY
输入电容:1604pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:8.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
输入电容:1604pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:8.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:23+
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1277}
规格型号(MPN):FDB8832
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:34A€80A
栅极电荷:265nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
功率:300W
输入电容:11400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
输入电容:1233pF@15V
导通电阻:23mΩ@7A,10V
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:76nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
功率:2.5W€100W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6612A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.8W€36W
连续漏极电流:9.5A€30A
类型:N沟道
栅极电荷:9.4nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@9.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:76nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
功率:2.5W€100W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD417
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:-25A
类型:P-Channel
导通电阻:34mΩ@10V
漏源电压:-30V
功率:50W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
输入电容:1604pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:8.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1205pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
功率:3W
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:04+
规格型号(MPN):SI4435DY
输入电容:1604pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:8.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y19-30PX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:45A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1260pF@15V
类型:P沟道
功率:66W
栅极电荷:35nC@10V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:19mΩ@9,5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
功率:3.2W€88.2W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:2706pF@15V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:17A€88.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9400A
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:130mΩ@1A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@5V
功率:2.5W
输入电容:205pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1233pF@15V
功率:900mW
工作温度:-55℃~175℃
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1205pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
功率:3W
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
连续漏极电流:11A€40A
导通电阻:20mΩ@11A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1715pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6685
连续漏极电流:11A€40A
导通电阻:20mΩ@11A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1715pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y10-30PX
功率:110W
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:64nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2360pF@15V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
输入电容:1755pF@15V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4132
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1604pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: