品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3A
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17570Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:121nC@4.5V
功率:3.2W
类型:N沟道
导通电阻:0.69mΩ@50A,10V
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:13600pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3D
输入电容:1050pF@15V
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q5A
导通电阻:6.2mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:17A€60A
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
输入电容:2050pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD87335Q3DT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:6W
输入电容:1050pF@15V
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:25A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD87384MT
输入电容:1150pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
类型:2个N通道(半桥)
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:30A
导通电阻:7.7mΩ@25A,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87384M
阈值电压:1.9V@250µA
输入电容:1150pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
连续漏极电流:30A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:7.7mΩ@25A,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD87381PT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
阈值电压:1.9V@250µA
功率:4W
连续漏极电流:15A
输入电容:564pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q3A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@4.5V
阈值电压:1.9V@250µA
功率:2.6W
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:2050pF@15V
导通电阻:6mΩ@11A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17570Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:121nC@4.5V
功率:3.2W
类型:N沟道
导通电阻:0.69mΩ@50A,10V
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:13600pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17555Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4650pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
导通电阻:2.7mΩ@25A,10V
连续漏极电流:24A€100A
栅极电荷:28nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17578Q3AT
功率:3.2W€37W
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:22.2nC@10V
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3A
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG16P03-TP
功率:35W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:15mΩ@15A,10V
输入电容:2130pF@25V
栅极电荷:45.6nC@10V
阈值电压:1.9V@250µA
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q3A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@4.5V
阈值电压:1.9V@250µA
功率:2.6W
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:2050pF@15V
导通电阻:6mΩ@11A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17578Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:25A
输入电容:1510pF@15V
导通电阻:6.9mΩ@10A,10V
栅极电荷:22.3nC@10V
功率:3.1W€42W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD87384MT
输入电容:1150pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
类型:2个N通道(半桥)
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:30A
导通电阻:7.7mΩ@25A,8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17553Q5A
连续漏极电流:23.5A€100A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
类型:N沟道
输入电容:3252pF@15V
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
栅极电荷:21.5nC@4.5V
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":343,"14+":10000,"15+":129398}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17555Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4650pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
导通电阻:2.7mΩ@25A,10V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6792
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3110pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:1.9V@250µA
功率:6.2W€48W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:44A€85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3A
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
连续漏极电流:20A
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
功率:3.2W€29W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17578Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:25A
输入电容:1510pF@15V
导通电阻:6.9mΩ@10A,10V
栅极电荷:22.3nC@10V
功率:3.1W€42W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6792
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3110pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:1.9V@250µA
功率:6.2W€48W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:44A€85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q5A
导通电阻:6.2mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:17A€60A
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
输入电容:2050pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q5A
导通电阻:6.2mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:17A€60A
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2050pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6792
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3110pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:1.9V@250µA
功率:6.2W€48W
连续漏极电流:44A€85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS36314
功率:6.2W€42W
连续漏极电流:36.5A€85A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1890pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD87588NT
输入电容:736pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个N通道(半桥)
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:25A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: