品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4491EDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€6.9W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:17.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4805
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:14.4A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50P03B-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6464pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.2W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@16.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:14.4A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50P03B-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6464pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.2W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@16.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3190LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:190mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: