品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
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阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:4930pF@15V
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类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
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输入电容:4930pF@15V
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类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
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功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
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输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
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功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:4930pF@15V
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类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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ECCN:EAR99
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功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
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类型:P沟道
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漏源电压:30V
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类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
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类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
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阈值电压:2.2V@250µA
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连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
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规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
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阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65.7W€5W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.93nF@15V
连续漏极电流:108A€29.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
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功率:5W€65.7W
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类型:P沟道
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
功率:5W€65.7W
栅极电荷:115nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
功率:5W€65.7W
栅极电荷:115nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
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栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
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类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: