品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17506Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1650pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17570Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:121nC@4.5V
功率:3.2W
类型:N沟道
导通电阻:0.69mΩ@50A,10V
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:13600pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:10180pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17573Q5BT
功率:3.2W€195W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:64nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:9000pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17570Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:121nC@4.5V
功率:3.2W
类型:N沟道
导通电阻:0.69mΩ@50A,10V
阈值电压:1.9V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:13600pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17576Q5BT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:2mΩ@25A,10V
栅极电荷:32nC@4.5V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17573Q5BT
功率:3.2W€195W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:64nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:9000pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:10180pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:42W
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R3-30YL,115
栅极电荷:100nC@10V
功率:121W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
输入电容:6227pF@12V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.15V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17573Q5BT
功率:3.2W€195W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:64nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:9000pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17576Q5BT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:2mΩ@25A,10V
栅极电荷:32nC@4.5V
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:0.94mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@4.5V
输入电容:7650pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:0.94mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@4.5V
输入电容:7650pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17559Q5T
功率:3.2W€96W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:51nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:9200pF@15V
阈值电压:1.7V@250µA
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:0.94mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@4.5V
输入电容:7650pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17576Q5BT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:2mΩ@25A,10V
栅极电荷:32nC@4.5V
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17576Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:2mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:0.94mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@4.5V
输入电容:7650pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:100A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N-Channel
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17506Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1650pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:42W
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:10180pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: