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    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 100A
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
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    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1650pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    栅极电荷:11nC@4.5V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:121nC@4.5V

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    阈值电压:1.9V@250µA

    连续漏极电流:100A

    输入电容:13600pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    功率:104W

    类型:N沟道

    栅极电荷:153nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    输入电容:10180pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    功率:3.2W€195W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:64nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    输入电容:9000pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:121nC@4.5V

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    阈值电压:1.9V@250µA

    连续漏极电流:100A

    输入电容:13600pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17576Q5BT

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:4430pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    类型:N沟道

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    栅极电荷:32nC@4.5V

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    功率:3.2W€195W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:64nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    输入电容:9000pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    功率:104W

    类型:N沟道

    栅极电荷:153nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    输入电容:10180pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:42W

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R3-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R3-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R3-30YL,115

    栅极电荷:100nC@10V

    功率:121W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    输入电容:6227pF@12V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:2.15V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    功率:3.2W€195W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:64nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    输入电容:9000pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@4.5V

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    输入电容:2630pF@15V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5BT 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5BT 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17576Q5BT

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:4430pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    类型:N沟道

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    栅极电荷:32nC@4.5V

    连续漏极电流:100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3

    功率:57W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:0.94mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:60nC@4.5V

    输入电容:7650pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3

    功率:57W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:0.94mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:60nC@4.5V

    输入电容:7650pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17559Q5T

    功率:3.2W€96W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:51nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:9200pF@15V

    阈值电压:1.7V@250µA

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@4.5V

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    输入电容:2630pF@15V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3

    功率:57W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:0.94mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:60nC@4.5V

    输入电容:7650pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17576Q5BT

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:4430pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    类型:N沟道

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    栅极电荷:32nC@4.5V

    连续漏极电流:100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17576Q5B

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:4430pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    类型:N沟道

    栅极电荷:68nC@10V

    阈值电压:1.8V@250µA

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@4.5V

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    输入电容:2630pF@15V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3

    功率:57W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:0.94mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:60nC@4.5V

    输入电容:7650pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:100A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    功率:104W

    类型:N-Channel

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1650pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    类型:N沟道

    栅极电荷:11nC@4.5V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:42W

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    功率:104W

    类型:N沟道

    栅极电荷:153nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    输入电容:10180pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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