销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€14.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8736TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03039
工作温度:150℃
功率:3.1W€59W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:38.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2460pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@47.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1616
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8736TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03039
工作温度:150℃
功率:3.1W€59W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:38.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2460pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@47.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E075ATTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E180ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@5mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4498
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E180ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: