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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
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功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
连续漏极电流：20A
输入电容：1370pF@15V
阈值电压：2.3V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：700mW€19W
ECCN：EAR99
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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