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    漏源电压
    30V
    包装方式
    行业应用
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:3700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3135LVT-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3135LVT-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3135LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K5R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@15V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6912A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8013S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8013S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8013S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@15V

    连续漏极电流:13A€26A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N40TU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N40TU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:122mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC150N03LDGATMA1 起订1120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC150N03LDGATMA1 起订1120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC150N03LDGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8K11TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL6372TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL6372TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL6372TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.1V@10µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.9mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3035LWN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:399pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EM6K1T2R

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6376TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6376TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLHS6376TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@10µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:63mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO350N03 起订893个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO350N03 起订893个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":1832}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO350N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@6µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6K3TCR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6K3TCR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6K3TCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K5R1-30E,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K5R1-30E,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K5R1-30E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2352pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€4.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:15.7A€100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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