首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    输入电容:1500pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":127500}

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    输入电容:950pF@24V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E110AJTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E110AJTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E110AJTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€24A

    阈值电压:1.5V@1mA

    功率:2W

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E070BNTR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:410pF@15V

    导通电阻:28.6mΩ@7A,10V

    功率:2W

    栅极电荷:8.9nC@10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:1100pF@15V

    栅极电荷:22nC@10V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    输入电容:1500pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    输入电容:504pF@15V

    功率:2W

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    输入电容:504pF@15V

    功率:2W

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130BNTB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130BNTB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E130BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    输入电容:1900pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    连续漏极电流:13A

    导通电阻:6mΩ@13A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:605pF@15V

    功率:2W

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.2A

    输入电容:560pF@25V

    导通电阻:19mΩ@8.2A,10V

    阈值电压:2.35V@25µA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2480pF@15V

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A

    阈值电压:700mV@250µA

    导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E160ADTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E160ADTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E160ADTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@16A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    连续漏极电流:16A

    功率:2W

    输入电容:2550pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:1100pF@15V

    栅极电荷:22nC@10V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:605pF@15V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    输入电容:1500pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    阈值电压:2.1V@250µA

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E080BNTR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:17.6mΩ@8A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    连续漏极电流:8A

    输入电容:660pF@15V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    输入电容:1500pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:6A

    输入电容:950pF@24V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E080BNTR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:17.6mΩ@8A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    连续漏极电流:8A

    输入电容:660pF@15V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订750个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订750个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.2A

    输入电容:560pF@25V

    导通电阻:19mΩ@8.2A,10V

    阈值电压:2.35V@25µA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E150BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:1100pF@15V

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.2A

    输入电容:560pF@25V

    导通电阻:19mΩ@8.2A,10V

    阈值电压:2.35V@25µA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFV-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2000pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    功率:2W

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:605pF@15V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E080BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E080BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E080BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    导通电阻:15.2mΩ@8A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:14.5nC@10V

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:660pF@15V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E150BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E150BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:13nC@4.5V

    输入电容:1460pF@15V

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    阈值电压:1.5V@1mA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧