采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1826，"23+"：14095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1826，"23+"：14095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1826，"23+"：14095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：894pF@15V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
功率：52W
连续漏极电流：57A
阈值电压：2.15V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：894pF@15V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
功率：52W
连续漏极电流：57A
阈值电压：2.15V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
