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    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3407SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA2TCR 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA2TCR 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KA2TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSD-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSD-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LDN-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LDN-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LDN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订126个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订126个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C88NT1G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C88NT1G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:11.7A€14.2A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSD-13 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSD-13 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A17E6TA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A17E6TA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSN21319C 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSN21319C 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSN21319C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订25个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订25个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA2TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA2TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KA2TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSD-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSD-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A17E6TA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A17E6TA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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