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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3035SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1633pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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