品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J09FU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.8V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@5V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:2.7Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSM002P03T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSM002P03T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ305TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@50mA,2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J09FU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.8V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@5V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:2.7Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: