品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2304
功率:1.25W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:117mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025SNTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2304
功率:1.25W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:117mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2304
功率:1.25W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:117mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3402
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:390pF@0V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@0V
导通电阻:50mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2304
功率:1.25W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:117mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025SNTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025SNTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3402
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:390pF@0V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@0V
导通电阻:50mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2304
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:2.5A
功率:1.25W
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:117mΩ@10V,2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025SNTL
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:165pF@10V
类型:1个N沟道
栅极电荷:4.1nC@5V
连续漏极电流:2.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3402
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:390pF@0V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@0V
导通电阻:50mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3402
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:390pF@0V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@0V
导通电阻:50mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3402
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:390pF@0V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@0V
导通电阻:50mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025SNTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03TL
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:92mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025SNTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025SNTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110SQ-7
功率:740mW
导通电阻:73mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: