采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5380pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR164DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1615，"20+"：2451，"23+"：9336，"MI+"：2417}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SCGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SCG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD04N03LB G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R8-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR164DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0379DPA-00#J5A
功率：55W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
输入电容：5.15nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
