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    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 6.2A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENER

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENEAR 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENEAR 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENER

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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