采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6402A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6402A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000，"24+"：3400，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6910
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：97500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
