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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
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输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
