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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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功率：7.1W
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栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：5400pF@15V
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类型：N沟道
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功率：7.1W
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输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
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功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_GE3
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功率：7.1W
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输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
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功率：900mW
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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功率：900mW
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
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规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
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功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
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功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
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连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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功率：900mW
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连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
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规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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功率：900mW
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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功率：900mW
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输入电容：393pF@15V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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功率：900mW
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输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
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行业应用：工业,汽车
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功率：900mW
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连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：393pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：900mW
导通电阻：20mΩ@9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：393pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：900mW
导通电阻：20mΩ@9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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