采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G40P03D5
功率：48W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR402DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS105N03LGAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000，"4C+"：90000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0394DPA-00#J5A
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@4.5V
输入电容：2.43nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.3mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"17+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
