采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ407EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR165DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ407EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS67DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC04DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.45mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC10DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1873pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17575Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€108W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
