品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:20.8nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
功率:1.25W
输入电容:940pF@15V
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:705pF@15V
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6405
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:52mΩ@-5A,-10V
连续漏极电流:-5A
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:-30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:20.8nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:1.25W
输入电容:940pF@15V
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E050RPTR
导通电阻:31mΩ@5A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6401A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
输入电容:1180pF@15V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:44mΩ@5A,10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6405
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:52mΩ@5A,10V
类型:P沟道
输入电容:840pF@15V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E050RPTR
导通电阻:31mΩ@5A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
连续漏极电流:-3.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P-Channel
导通电阻:42mΩ@-3.8A,-10V
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:-30V
功率:1.2W€1.7W
输入电容:705pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:27nC@10V
类型:P沟道
输入电容:551.57pF@15V
导通电阻:60mΩ@5A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: