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    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 5A
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:80+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

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    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

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    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

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    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

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    功率:3W

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    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

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    功率:3W

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

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    功率:3W

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    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    功率:3W

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    栅极电荷:7nC@5V

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    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    功率:3W

    输入电容:555pF@15V

    栅极电荷:7nC@5V

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XNE,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XNE,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB29XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    AOS Mosfet场效应管 AO6424
    AOS Mosfet场效应管 AO6424

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6424

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订13个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订13个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订2313000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订2313000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订22个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订22个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1992000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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