品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP235N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP235N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP235N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP235N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
输入电容:680pF@15V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250μA
功率:3.8W€17W
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:19A€40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP235N2001TR-G
功率:400mW
阈值电压:2.4V@250μA
输入电容:220pF@10V
栅极电荷:3.6nC@10V
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:2A
导通电阻:110mΩ@1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
输入电容:680pF@15V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250μA
功率:3.8W€17W
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:19A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.73nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.73nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
栅极电荷:17nC@10V
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:23mΩ@10V,10A
输入电容:478.9pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32368
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
功率:3.1W
类型:1个N沟道
阈值电压:2.4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.27nF@15V
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存: