品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:970mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:186pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:0609
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A02X8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:26.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF03L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL56N3LLH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: