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    漏源电压: 30V
    类型: N沟道
    阈值电压: 1V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UFZ-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UFZ-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:393mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.2pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3300UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:186pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:0609

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS5402T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1687
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    ST Mosfet场效应管 STL150N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STL150N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL150N3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4040pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A02X8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A02X8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A02X8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:26.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3200U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3200U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3200U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:78000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3200U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3200U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:19
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL6N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STL6N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:283pF@24V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    ST Mosfet场效应管 STN4NF03L
    ST Mosfet场效应管 STN4NF03L

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF03L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:103
    ST Mosfet场效应管 STL56N3LLH5
    ST Mosfet场效应管 STL56N3LLH5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL56N3LLH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
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