品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":75000,"22+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":117781,"12+":4500,"13+":3000,"14+":34260}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4943NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1401pF@15V
连续漏极电流:8.3A€41A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":134039}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4929NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:6.6A€34A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4930NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:4.5A€23A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:11.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C10NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:8.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":22125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4906NA-35G
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@15V
连续漏极电流:10.3A€54A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C020NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€134W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:47A€303A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3366pF@15V
连续漏极电流:11A€67A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C06NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€31W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3366pF@15V
连续漏极电流:11A€67A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":55000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4930NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:4.5A€23A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":16890,"12+":650,"15+":300,"MI+":2376}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4939NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€30W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1954pF@15V
连续漏极电流:9.3A€53A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C022NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€64W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3071pF@15V
连续漏极电流:30A€136A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2640,"21+":2549239,"23+":1443}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:11.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":7594}
包装规格(MPQ):481psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C054NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.59W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:22.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.54mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":135115}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4935NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@15V
连续漏极电流:13A€93A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: