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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A€3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.6pF@15V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7400
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A€3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A€3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A€3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
