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    类型: N沟道
    栅极电荷: 2.7nC@4.5V
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1992000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1750
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:42
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    加购:5
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