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    漏源电压
    30V
    类型
    连续漏极电流
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    漏源电压: 30V
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 6.9A
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":6000,"18+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订844个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订844个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订3110个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订3110个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":6000,"18+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订844个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订844个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":27500,"06+":11126,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":27500,"06+":11126,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":27500,"06+":11126,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订100个装
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订100个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订10个装
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订10个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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