品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327
功率:500mW
阈值电压:2V@11μA
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3481C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:70pF@15V
导通电阻:37mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3401L
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TR(UMW)
功率:300mW
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:85mΩ@10V,4.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR040P03FRATL
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8405_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:390mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS314PEH6327
功率:500mW
阈值电压:2V@6.3μA
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:140mΩ@10V,1.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407C
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250μA
连续漏极电流:14A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.5mΩ@10V,14A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3401L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:880pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:75pF@15V
导通电阻:60mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G40P03D5
功率:48W
阈值电压:1.4V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3160LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:384.4pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:122mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G7P03S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:16mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ086P03NS3G
功率:2.1W
阈值电压:3.1V@105μA
连续漏极电流:13.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327
功率:500mW
阈值电压:2V@11μA
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3035
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A
功率:30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:4.3nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS314PEH6327
功率:500mW
阈值电压:2V@6.3μA
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:140mΩ@10V,1.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3160LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:384.4pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:122mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2V@100μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:71mΩ@10V,3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF(T
功率:1W
阈值电压:2V@100μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:71mΩ@10V,3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: