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    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM9435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:845pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:80pF@15V

    导通电阻:51mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1200
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM9435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:845pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:80pF@15V

    导通电阻:51mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM9435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:845pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:80pF@15V

    导通电阻:51mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:86
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM9435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:845pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:80pF@15V

    导通电阻:51mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2303
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2303

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2303

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4nC@10V

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:25pF@15V

    导通电阻:190mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:183
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM9435

    漏源电压:30V

    导通电阻:51mΩ@10V,5.3A

    输入电容:845pF@15V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:5.3A

    反向传输电容:80pF@15V

    栅极电荷:22nC@10V

    类型:1个P沟道

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM9435

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM9435

    漏源电压:30V

    导通电阻:51mΩ@10V,5.3A

    输入电容:845pF@15V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:5.3A

    反向传输电容:80pF@15V

    栅极电荷:22nC@10V

    类型:1个P沟道

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ-G
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ-G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ-G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    输入电容:4.7nF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:758
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2154
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3011SFVWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:2.38nF@15V

    连续漏极电流:19.8A€50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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