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    500mW 200mW 300mW 350mW 5W 1W 2.5W 600W 750mW 2W 800mW 1.3W 100mW 1.5W 630mW 250mW 150mW 6W 400mW 7W 1W€2.3W 4.5W 68W 700mW 2.5W€5.6W 1.15W 320mW 370mW 290mW 1W€1.7W 83W 5W€62.5W 2.5W€5W 340mW€2.1W 417mW 71W 1.9W 52W 540mW 2.1W€69W 1.1W 55W 2W€12.5W 75W 4W 840mW 2.4W 3.7W€52W 2.3W 1.56W 1.65W 2.3W€31W 1.25W 15W 5W€48W 1.38W 15.6W 3.5W€7.8W 5W€28W 900mW 600mW 1.45W 260mW€830mW 14W 3.5W€27.8W 3.5W€19W 2.5W€4.2W 57W 5.1W€65.8W 4.1W€24W 650mW 3.8W€52.1W 35W 6.8W 2.5W€125W 1.7W€12.5W 1.2W 940mW 7.3W€83W 1.6W 2.5W€6.3W 550mW 1.2W€1.7W 1.1W€1.8W 4.2W 1.8W 625mW 1.25W€2.5W 3W 110W 480mW 3.1W€6.9W 730mW 950mW 78W 13.6W 58W 69W 460mW 45W 390mW 760mW 770mW 2.5W€83W 40W 6.25W€104W 2.7W 88W 310mW€455mW 2.5W€5.7W 4.8W 3.1W€29W 860mW 310mW€1.67W 450mW 1.1W€2.7W 50W 2.7W€5W 1.7W 330mW 4.2W€35.7W 2.5W€50W 1.08W 62.5W 3.9W 1.9W€12.5W 3.1W 1.28W 137W 350mW€1.14W 66W 21W 100W 27.8W 65.8W 1.4W 150W 2.1W 350mW€6.25W 660mW 136W 2.4W€5W 1.3W€2.5W 70W 2.8W 5W€30W 2.5W€4.5W 3.1W€25W 400mW€8.3W 2.3W€4.8W 480mW€1.2W 1.8W€50W 380mW€2.8W 2.1W€52W 2W€30W 1.6W€2.8W 2.66W€33.8W 2.5W€69W 69.4W 1.29W 2.5W€90W 2.5W€39W 2W€3W 2W€60W 2W€35W 3.1W€31W 6.35W€104W 1.47W 2W€4.2W 2.18W 4.8W€57W 1.79W 2.3W€41W 3.4W€17.9W 5W€56.8W 5.3W 4.8W€56.8W 2.5W€73W 2.1W€40W 5W€65.7W 3.1W€5.6W 2.3W€36W 3.5W€19.2W 2.1W€113W 2.3W€83W 510mW€6.4W 1.9W€13W 6.2W€138W 3.2W€88.2W 3.2W€24W 1.7W€16W 1.7W€32W 900mW€104W 2.5W€5.2W 1.9W€6.5W 3.3W€138.9W 2.9W€5.9W 5W€24.5W 3.1W€96W 4.1W€31W 2.35W 1W€102W 1.7W€40W
    栅极电荷
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    连续漏极电流
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    漏源电压: 30V
    类型: P沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:1.2万+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:14A€16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:4.1A€5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LPSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LPSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1372pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P03P404ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P03P404ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@253µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10300pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011P TR13 PBFREE 起订3个装
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011P TR13 PBFREE 起订3个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@8V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:20.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP250,135

    工作温度:150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:165mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB1200UPEYL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB1200UPEYL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB1200UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43.2pF@15V

    连续漏极电流:410mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3407-TP 起订7个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3407-TP 起订7个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3407-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:3.8A€5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9333TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9333TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9333TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@25µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@9.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E030ATTCR 起订29个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E030ATTCR 起订29个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E030ATTCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:91mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@15V

    连续漏极电流:12.9A€30.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订16个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订16个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6405 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6405 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6405

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D9UFZ-7B 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D9UFZ-7B 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.5pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订4个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订4个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM9435CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551.57pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:10.2A€13.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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