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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO301SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5890pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14R0EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：227pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP012-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€32W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：8.9A€38.8A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3020LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1802pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R5EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1392pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP012-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€32W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：8.9A€38.8A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO301SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5890pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R5EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1392pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO301SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5890pF@25V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP015-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€16W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：8A€24.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.8mΩ@8.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3020LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1802pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
