采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：14A€24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：14A€24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1799pF@15V
连续漏极电流：11A€42A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1799pF@15V
连续漏极电流：11A€42A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1799pF@15V
连续漏极电流：11A€42A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：14A€24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1799pF@15V
连续漏极电流：11A€42A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1799pF@15V
连续漏极电流：11A€42A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：14A€24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
