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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
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栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
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类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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功率：3W
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连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
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规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
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阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
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输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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功率：3W
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栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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功率：3W
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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输入电容：12400pF@15V
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类型：P沟道
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功率：150W
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栅极电荷：175nC@10V
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输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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功率：3W
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栅极电荷：175nC@10V
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连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
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输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
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工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
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导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
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