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    漏源电压: 30V
    类型: P沟道
    连续漏极电流: 2.5A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2307LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:371.3pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2307L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:371.3pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2307LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:371.3pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E025ATTCL 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E025ATTCL 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E025ATTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:91mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3125L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:254pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3125L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:254pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307L-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307L-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2307L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:371.3pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-13 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-13 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3125L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:254pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RW1E025RPT2CR 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW1E025RPT2CR 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1E025RPT2CR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025P03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:98mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3125L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:254pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A11C0PR-G 起订50个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A11C0PR-G 起订50个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP162A11C0PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025P03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:5.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:98mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRL025P03FRATR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRL025P03FRATR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRL025P03FRATR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025P03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:5.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:98mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025P03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:5.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:98mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3125L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:254pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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