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    漏源电压: 30V
    类型: P沟道
    连续漏极电流: 9A
    当前匹配商品:100+
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    参数
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    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03GZETB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03GZETB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB14R0EPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPC8129,LQ(S 起订14个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPC8129,LQ(S 起订14个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPC8129,LQ(S

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@200µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL9P3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03TB1

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03TB1

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03TB1

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03TB1

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03TB1

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03TB1 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03TB1

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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