品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
功率:1.6W
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.09nC@10V
连续漏极电流:5.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
类型:P沟道
输入电容:1047.98pF@15V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
功率:1.6W
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.09nC@10V
连续漏极电流:5.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
类型:P沟道
输入电容:1047.98pF@15V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
功率:1.6W
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
功率:1.6W
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658AP
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.1nC@5V
类型:P沟道
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:50mΩ@4A,10V
输入电容:470pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP3203N8-G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:300pF@25V
导通电阻:600mΩ@1.5A,10V
类型:P沟道
阈值电压:3.5V@10mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":339000,"16+":3684}
规格型号(MPN):CPH6355-TL-W
输入电容:172pF@10V
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@1mA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: