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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E040RPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E040RPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E040RPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH040P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
