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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6P3LLH6
工作温度：150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
