品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ035P03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ020P03TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E035ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ020P03TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ020P03TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ020P03TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: