品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS351AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:145pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDN361BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
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类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
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连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
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连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
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输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:226mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNL6327XT
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:226mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.8nC@4.5V
输入电容:193pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,1.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:226mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,1.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS351AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:145pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SN H6327
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,1.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: