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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订12个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订12个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011N TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8672S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:370
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8896

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":848,"22+":2375}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8876

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:727
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680AS
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680AS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":179,"23+":625}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6680AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@15V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:883
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6680A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:77
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0349DSP-00#J0
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0349DSP-00#J0

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0349DSP-00#J0

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3850pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4645}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:993
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4566 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4566 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4566

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:542pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6680A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6680A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
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