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    连续漏极电流
    漏源电压: 30V
    功率: 750mW
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
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    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订42个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订42个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":75000,"16+":4550,"22+":136500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":668206}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG315N 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG315N 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG315N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":273,"20+":1418,"21+":1227,"22+":17322}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":273,"20+":1418,"21+":1227,"22+":17322}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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