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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J66TB1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
连续漏极电流：9A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J66TB1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
连续漏极电流：9A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA4TB1
连续漏极电流：9A€8.5A
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：640pF@15V€890pF@15V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1100pF@15V
栅极电荷：22nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：1900pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
连续漏极电流：13A
导通电阻：6mΩ@13A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA4TB1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
连续漏极电流：9A
输入电容：640pF@15V
类型：2N沟道（双）
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8K1TB
连续漏极电流：10A€11A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：348pF@15V€429pF@15V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J62TB1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8K1TB
连续漏极电流：10A€11A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：348pF@15V€429pF@15V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1000pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
功率：2W
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E160ADTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@16A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
连续漏极电流：16A
功率：2W
输入电容：2550pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1000pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
功率：2W
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8K1TB
连续漏极电流：10A€11A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：348pF@15V€429pF@15V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
工作温度：150℃
输入电容：1250pF@15V
功率：2W
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1200pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：29mΩ@7A，10V
功率：2W
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1100pF@15V
栅极电荷：22nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1200pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：29mΩ@7A，10V
功率：2W
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8K1TB
连续漏极电流：10A€11A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：348pF@15V€429pF@15V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA3TB1
输入电容：300pF@15V€480pF@15V
连续漏极电流：7A€6A
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA4TB1
连续漏极电流：9A€8.5A
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：640pF@15V€890pF@15V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A€4.5A
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA7GZETB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
输入电容：3320pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A€4.5A
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
