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    漏源电压: 30V
    功率: 800mW
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:748
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:922
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1435-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1435-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1435-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:556
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS7N03R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS7N03R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4150,"21+":4045}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS7N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:521
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":19995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3206
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF025N03TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1621

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF025N03TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF014N03TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF014N03TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1435-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1435-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1435-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1434-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":97500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03FRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF025N03FRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF025N03FRATL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1323
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3206
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1434-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN-F40 起订2165个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN-F40 起订2165个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":39000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN-F40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2165
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
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