采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44FS，LF
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：108000，"17+"：99000，"18+"：9000}
规格型号(MPN)：3LP01S-TL-E
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：1.43nC@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
输入电容：7.5pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P15FE(TE85L，F)
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
阈值电压：1.7V@100µA
导通电阻：12Ω@10mA，4V
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AMFV，L3F
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44FS，LF
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM5K1NTR
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）共源
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2000，"14+"：6000，"17+"：117000，"20+"：10242}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P15FE(TE85L，F)
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM5K1NTR
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
