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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：07+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4953ADY-T1-E3
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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