品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LS G
功率:96W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSI
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:2V
栅极电荷:68nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:230A
类型:MOSFET
导通电阻:1.1mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LS G
功率:96W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSI
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:2V
栅极电荷:68nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:230A
类型:MOSFET
导通电阻:1.1mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LS G
功率:96W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSI
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:2V
栅极电荷:68nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:230A
类型:MOSFET
导通电阻:1.1mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LS G
功率:96W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,30A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LS G
功率:96W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LS G
功率:96W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):5000psc
规格型号(MPN):BSC011N03LSI
漏源电压:30V
包装方式:Reel
导通电阻:1.1mΩ
阈值电压:2V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
栅极电荷:68nC
类型:MOSFET
连续漏极电流:230A
包装清单:商品主体 * 1
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