销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J4TR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J4TR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:4A
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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分类:Mosfet场效应管
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:56mΩ@4A,10V
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行业应用:工业,汽车
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